微蝕刻加工過程中濕法蝕刻方法
發布日期：2022-06-02
半導體領域經常會遇到零部件微小的情況，正因為這樣才需要通過微蝕刻加工的方式進行，蝕刻工藝是微制造過程中極其重要的步驟。蝕刻是指在進行制造時通過晶片表面去除層，每個晶片都需要經歷很多的微蝕刻加工過程，而用于保護晶片免受蝕刻液腐蝕影響的材料我們叫掩膜材料，掩膜材料可以是光致抗蝕劑，也可以通過光刻法進行圖案化。蝕刻過程中需要通過空腔根據特定的深度來控制蝕刻時間和蝕刻速率。多層結構的頂層去除需要通過蝕刻機來執行，下層和掩膜層無任何種類的損傷，主要原因是取決于材料之間的蝕刻速率之比，即選擇性。蝕刻會削弱掩膜層，產生空腔的傾斜側壁稱為偏差。
蝕刻中的濕法蝕刻其原理是通過對液體化學物質或者蝕刻液從晶片出去材料的過程。掩膜限定可以銅鼓晶片上的特定圖案來完成。沒有被掩膜保護的材料將被蝕刻液腐蝕掉。鏡片上沉積和構圖的掩膜可以通過光刻技術來執行。濕法刻蝕工藝涉及多層化學反應，消耗原反應物產生新的反應物。
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