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一、銅合金蝕刻加工核心流程

前處理

表面清潔：堿性清洗（pH≥12）去除銅材表面氧化層與油脂，等離子活化（真空度≤10?3Pa）提升感光膠附著力。

貼膜：卷對(duì)卷（RTR）系統(tǒng)連續(xù)涂覆8-12μm厚感光膠，確保均勻覆蓋。

圖形轉(zhuǎn)印

曝光：采用LDI激光直寫(xiě)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)±2μm定位精度，支持0.03mm線寬/孔縫的精密圖形轉(zhuǎn)移。

顯影：溶解未曝光區(qū)域感光膠，暴露待蝕刻銅表面。

化學(xué)蝕刻

溶液選擇：三氯化鐵（FeCl?）作為主要蝕刻液，濃度控制在35-45%，溫度45-50℃，蝕刻速率0.04-0.08mm/min。

精度控制：孔徑公差±0.01mm，適用于高密度網(wǎng)孔（≥500孔/cm2）加工。

后處理

脫膜清洗：堿性溶液去除剩余感光膠，電解拋光使孔壁粗糙度達(dá)Ra≤0.1μm。

質(zhì)檢：AI視覺(jué)檢測(cè)系統(tǒng)篩選缺陷（不良率≤0.3%），滿足ISO 13485（醫(yī)療）等嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。

二、銅蝕刻加工的核心應(yīng)用領(lǐng)域

電子元器件

引線框架、連接器等精密蝕刻件（厚度0.03-0.3mm），滿足高頻信號(hào)傳輸需求。

新能源領(lǐng)域

燃料電池雙極板流道加工（孔隙率60±2%），提升氫氧反應(yīng)效率。

汽車(chē)工業(yè)

傳感器銅基板微蝕刻（公差±0.005mm），耐鹽霧腐蝕≥720h。

半導(dǎo)體封裝

晶圓級(jí)封裝銅掩膜（線寬≤0.01mm），適配5G射頻濾波器（Q值＞2000）。

三、銅合金蝕刻加工技術(shù)優(yōu)勢(shì)

高精度：支持0.03mm孔徑及3D異形流道加工，生產(chǎn)效率達(dá)2m/min。

環(huán)保性：三氯化鐵溶液循環(huán)利用率≥85%，減少重金屬污染。

銅蝕刻加工憑借其高精度與規(guī)模化能力，已成為精密制造領(lǐng)域不可替代的工藝。