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化學蝕刻工藝是一種通過化學反應選擇性移除材料的精密加工技術，廣泛應用于半導體、航空航天、醫療器械等領域。其核心流程可分為以下步驟，并在不同環節多次體現“化學蝕刻工藝”的關鍵作用：

一、預處理與清洗

化學蝕刻工藝的第一步是徹底清潔基材表面，去除油污、氧化層等雜質。例如鈦材需用氫氟酸或噴砂處理，而玻璃表面則需去污粉擦洗。該環節直接影響后續化學蝕刻工藝的均勻性和精度。

二、掩膜制備與圖形轉移

在化學蝕刻工藝中，需通過涂布光刻膠、絲網印刷或噴墨技術形成保護層（掩膜）。曝光和顯影后，未被保護的區域暴露在蝕刻液中，這是化學蝕刻工藝中圖形精準定義的關鍵階段。例如鐵器刻花時在石蠟層雕刻圖案，即為早期掩膜技術的應用。

三、化學蝕刻反應控制

化學蝕刻工藝的核心是通過溶液（如氫氟酸、HF-HNO?混合液）與材料的化學反應實現可控刻蝕。濕法刻蝕需精確調控溶液濃度、溫度及時間，如玻璃蝕刻需多次滴加濃鹽酸增強凹痕深度。該階段的各向同性特性使化學蝕刻工藝更適用于非關鍵尺寸加工。

四、后處理與表面優化

完成化學反應后，化學蝕刻工藝進入脫膜清洗階段：去除殘留掩膜，沖洗蝕刻液并進行烘干或鈍化處理（如鈦材陽極氧化）。此步驟確保最終結構的耐腐蝕性和功能性，體現化學蝕刻工藝對全流程控制的嚴苛要求。

五、工藝應用與發展

化學蝕刻工藝從早期的金屬浮雕（銅版/鋅版印刷）發展到微電子領域，尤其在5nm蝕刻機等尖端設備中展現出高精度優勢。盡管干法刻蝕技術逐漸占據半導體制造主導地位，但化學蝕刻工藝憑借成本低、效率高的特點，仍在非關鍵領域保持不可替代性。

通過上述流程可見，化學蝕刻工藝在材料精細化加工中持續發揮重要作用，其五次技術迭代與應用拓展均印證了該工藝的跨學科價值。